c14时序设置,时序怎么调在哪啊
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本文目录一览
- 1,时序怎么调在哪啊
- 2,窄条金士顿ddr3 1600 4g时序怎么调 双通道
- 3,金士顿KHX1600C9D34G时序如何设置还有超频
- 4,8700K M10F 3200C14幻光戟内存 如何超频内存
- 5,电脑内存条c14和c16的区别
1,时序怎么调在哪啊
右击,修改,看他让你找第几行
你好!我百度HI你,具体说仅代表个人观点,不喜勿喷,谢谢。
2,窄条金士顿ddr3 1600 4g时序怎么调 双通道
双通道内存是不用调的,放在相应颜色插槽就是,主板要支持,有的要进bios打开才行。另外CPU超外频,内存显卡都会出错的,你只有超内频。
内存时序时无法调整的,只能调频率,调频率就要内存加电压,但很不调,如果是1600,想调整成1866根本不可能,再就是CPU超频与内存没关系,
3,金士顿KHX1600C9D34G时序如何设置还有超频
1,H77一般是不支持超频的。
2,看你的cpu-z为什么是显示内存频率800呢?这不就是1600吗?3,根据网上对金士顿的KHX1600C9D3的描述,“本产品从内存颗粒选择到制造工艺均按照1600内存标准打造,是可靠的1600MHz内存。为了确保系统兼容性,在出厂时在SPD中将其默认频率设置在1333MHz。即使您的系统不支持1600MHz内存,也可以在1333MHz频率上正常运行。如果确认您的系统支持1600MHz内存,则可以通过手动调试来实现1600MHz的标准频率,有效提升系统性能。”貌似是利用内存的xmp可以超频到1600并稳定工作,具体方法可以自己查一下。
4,不建议自己调节内存时序,实际上调节那十几项参数的效果并没有想象中的好,内存双通道和1T的效率要比调节内存时序高的多。稳定还是最重要的,因为不稳定的情况下高频的内存性能会比低频下更低,这个我深有体会。
在amd平台,金士顿hyperx ddr3 1600 4g(khx1600c9d3/4g)内存必须到主板bios里面设置1600才可以,如果你设置后,开机还是1333,那么这条内存工作电压是1.65v,可能是供电不足,你需要将内存电压调整到1.65v左右。
4,8700K M10F 3200C14幻光戟内存 如何超频内存
上面那个回答跟没回答一样,一点操作步骤都没有。我先介绍一下基本概念。不同的内存使用颗粒不一定一样,有的超频空间很大,有的质量差,超频空间极小,甚至出厂就没有任何超频空间,超频最好的是三星B-die颗粒,而B-die中也分好坏,2019年的B-die网友评价不是很高。还要介绍一下,超成什么样子算是稳定成功。稳定的标志是频率达到你需要的水平,同时内存时序需要符合这个频率下的正常水平(时序决定延迟,时序越低延迟越低,但时序越低对内存体质要求越高,高级货才能调到低时序),电压也符合这个频率下的平均水平(电压越高,温度会越高,这样内存越不容易高效稳定运行,所以我们追求低电压运转。但是电压越低,对内存体质要求越高,体质差的内存在低电压下是不能稳定运行的,会大几率蓝屏甚至无法开机,所以不能过度追求低电压。形象的例子是,一个运动员跑步,吃饭吃得太多,会让他体重过大,跑起来很缓慢很迟钝,但吃得太少他会直接饿的没力气走不动道),而且能够长期稳定运行,绝不蓝屏。比如你的3200c14,就是说官方承诺3200频率时,时序可以达到c14,而且稳定运行。再说一下手动超内存的大致方法,要超内存,最少要懂得最基本的bios操作,我就默认读者们都掌握这些基本操作了。如果读者真的不会,那建议不要超频,搞出问题会更困扰你:超内存,最基础的就是在BIOS里面调高内存频率,调节cpu的va io电压,调节内存电压,调节内存时序,调节一些细微参数,反复测试使之达到完美平衡。一般我们超内存时都是先预设一个经验值,如果你没有经验,可以在查看大神们给的同类内存的超频参数(注意,内存超频受cpu和主板影响,不一定能照抄人家的设置,可能要微调,比如9900k超出来的极限参数,用9700k就无法实现),或者可以在主板xmp默认参数下微调。然后一点点微调测试,比如你调完参数,能开机,然后memorytest软件或者玩个游戏测试一下,如果不能稳定,老出错或者蓝屏,就加一点点加电压或者调高时序,直到能稳定运行。如果按预设参数一开始就能稳定运行,那么你可以试试降低电压,调低时序,然后再测试。
一直降到电脑不能稳定运行,那么再回到上一次的参数,这样就找到了完美的参数设置。总结一下步骤1. 预设内存超频经验值(内存电压,va io电压,时序,防掉压等级),比如内存电压,常识是3000左右均值是1.35v,4000以上至少得1.4v以上;2. 开机测试;3. 如果不稳定,那么调高内存时序(时序最多最多调2-4,过分调高时序去将就频率会得不偿失,性能并不提高),调高内存电压,调高cpu的io sa电压,每次微微调高一些,直到能正常稳定运行;4. 如果一开始就稳定运行,那么每次稍微降低内存时序(一般来说时序最多也就降2-4,更大的降幅很难实现,更大的降幅需要只在论坛贴吧传说中偶尔出现的极品体质颗粒),内存电压,直到无法稳定运行,回到上次的稳定参数。
5. 达到步骤4和5里面的水平,就算是超频成功了。
6. 这里面最难的是经验,没经验的人千万不敢乱来,万一加压加多了,是要烧内存条的,我认识的一个电脑小哥,给人超内存,烧了赔了人家小一千,从此他给人装机只设置xmp自动超频,绝不手动超频,所以我只能自己学超频啦。
内存条也要看颗粒体质 你C14的条子选择的非常好开机进BIOS 内存频率直接输入3600即可 时序电压设置自动调节有的板子BIOS比较难用 比如技嘉~~~对小白不友好C14的条子OC到3866 一般就可以了板子好一些 条子颗粒优秀 可以OC到4266其实3600就足够了 再高效果也不大的
你超什么翻车了呢,内存,cpu?我也有c6h和1800x 1. 内存,这个主板,你看一下附件的内存兼容列表,他就没有3000频可以运行的内存,我自己测试芝奇的幻光戟3200c14是可以两根运行在3200c14的,四根2666c14,而海盗船白金统治者3000c15只能2666运行,我还试了另外一个牌子3000的内存,也是2666; 2. cpu,1800x并不能超多少的,xfr频率接近4.1,你自己超频差不多最多也就是4.1;
5,电脑内存条c14和c16的区别
1、时序不同也就是响应时间不同,单位为时钟周期。
2、性能不同其他条件相同的情况下,数字越小性能越好。
3、价格不同其他条件相同的情况下,数字越小价格越高。
4、颗粒不同内存中使用的颗粒不同,数字越小颗粒越好,超频的潜力越高。扩展资料内存时序包含描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,它们的单位为时钟周期。它们通常被四个用破折号分隔开的数字表示,例如16-16-16-36。CAS延迟(CL):发送一个列地址到内存与数据开始响应之间的周期数。这是从已经打开正确行的DRAM读取第一比特内存所需的周期数。与其他数字不同,这不是最大值,而是内存控制器和内存之间必须达成的确切数字。RAS到CAS(TRCD):打开一行内存并访问其中的列所需的最小时钟周期数。从DRAM的非活动行读取第一位内存的时间是TRCD+ CL。RAS预充电(TRP):发出预充电命令与打开下一行之间所需的最小时钟周期数。从一个非正确打开行的DRAM读取内存第一比特的时间是TRP+ TRCD+ CL。周期时间(TRAS):行活动命令与发出预充电命令之间所需的最小时钟周期数。这是内部刷新行所需的时间,并与TRCD重叠。在SDRAM模块中,它只是TRCD+ CL。否则,约等于TRCD+ 2×CL。参考资料:百度百科-内存时序
1、时序不同内存条c14和内存条c16,他们分别代表各自的时序。
2、价格不同c16比c14便宜,性能没有c14好。扩展资料内存条的作用内存是电脑(PC机、单片机)必不可少的组成部分。与可有可无的外存不同,内存是以总线方式进行读写操作的部件;内存决非仅仅是起数据仓库的作用。除少量操作系统中必不可少的程序长驻内存外,我们平常使用的程序,如Windows、Linux等系统软件,包括打字软件、游戏软件等在内的应用软件,虽然把包括程序代码在内的大量数据都放在磁带、磁盘、光盘、移动盘等外存设备上,但外存中任何数据只有调入内存中才能真正使用。电脑上任何一种输入(来自外存、键盘、鼠标、麦克风、扫描仪,等等)和任何一种输出(显示、打印、音像、写入外存,等等)无一不是通过内存才可以进行。内存的分类DDR内存条内存分为DRAM和ROM两种,前者又叫动态随机存储器,它的一个主要特征是断电后数据会丢失,我们平时说的内存就是指这一种;后者又叫只读存储器,我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序,然后再由它去调用硬盘中的Windows,ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。根据内存条上的引脚多少,我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。
30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM,(SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构,)168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。
30线内存条已经没有了;前两年的流行品种是72线的内存条,其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种;市场的主流品种是168线内存条,168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种,一般的电脑插一条就OK了,不过,只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。EDO和SDRAM前面我们已经按引脚数的多少把内存条分为30、72和168线等几种,其实,它们在结构和性能上还有着本质的区别。譬如,72线内存条是一种EDO内存,而现今主流的168线内存条几乎清一色又都是SDRAM内存;EDO内存的存取速度基本保持在60纳秒左右,能够适应75兆赫兹的外频,但跑83兆赫兹则有点勉为其难了;而SDRAM内存的存取速度一般能达到10纳秒左右,能够适应100兆赫兹以上的外频。所以从97年底起EDO内存已逐步被SDRAM所取代,至今,几乎已无人再用EDO来装机了,只有升级扩充旧电脑内存时还用得着它。其实,EDO内存被SDRAM所取代有其必然性,因为,市场上主流CPU的主频已高达2G赫兹,未来CPU的主频还会越来越高。但由于传统内存条的读写速度远远跟不上CPU的速度,迫使CPU插入等待指令周期,从而大大降低了电脑的整体性能。为了缓解这个内存瓶颈的问题,我们就必须采用新的内存结构,即SDRAM。因为,从理论上说,SDRAM与CPU频率同步,共享一个时钟周期。SDRAM内含两个交错的存储阵列,当CPU从一个存储阵列访问数据的同时,另一个已准备好读写数据,通过两个存储阵列的紧密切换,读取效率得到成倍提高。最新的SDRAM的存储速度已高达5纳秒,所以,SDRAM已成为内存发展的主流。
C14 C16指的是时序,时序越低越好实际使用真感觉不到什么区别
如果做普通用途的话,两者差别不大,c9和c11的时序不一样,两个都能超频,但是要在bios里面设置,自动超频是要主板自带功能支持的,复仇者的总体屏风要比普通版高一点,主要体现在高速处理方面
电脑内存条c14和c16的区别:
1、价格不同其他条件相同的情况下,数字越小价格越高。
2、颗粒不同内存中使用的颗粒不同,数字越小颗粒越好,超频的潜力越高。
3、性能不同其他条件相同的情况下,数字越小性能越好。
4、时序不同也就是响应时间不同,单位为时钟周期。
5、间距不同C14和C16是卡槽间距不一样。扩展资料:DDR2与DDR的区别:与DDR相比,DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下,可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比,在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲,DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。与双倍速运行的数据缓冲相结合,DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据,比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于,它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样,但是仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存,因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样,DDR2的针脚数量为240针,而DDR内存为184针;其次,DDR2内存的VDIMM电压为1.8V,也和DDR内存的2.5V不同。参考资料来源:百度百科-内存条
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